18.05.2007
Сухие пленочные фоторезисты СПФ представляют собой трехслойную композицию, в которой первый и третий слои слой представляет собой собственно фоторезист весьма сложного состава. "Основу фоторезиста составляют мономеры с
Импортные сорта фоторезиста типа «Ристон» выпускаются имеют толщину слоя 12,5; 25; 37,5 и 62,5 мкм.
Отечественные пленочные фоторезисты марок СПФ-1, по ТУ6-17-359—77, имеют толщину пленки 20, 40 и 60 мкм. Некоторые свойства СПФ-2
Пленочные фоторезисты значительно технологичнее жидких, обеспечивают возможность панесення рисунка схемы иа заготовки с высокой стойкостью к действию травильных растворов и к электролитам гальванических ванн. Их разрешающая получение минимальной ширины проводников и зазоров 0,15 мм. Сухие пленочные фоторезисты наносятся
фоторезист; 3
2 — рулон фоторезиста;
3 — отделительный валик;
4 — прижимной валик:
5 — плата
на платы посредством прокатывания их горячим защитную лавсановую пленку в установках-ламинаторах. Температура валиков 100—120 °С. Защитная полиэтиленовая пленка перед н наматывается иа вспомогательную бобину.
Схематически операция иаиесеиня СПФ представлена на рис. 8. В наносится с целью защиты от вытравливания, используют фоторезист толщиной 20 мкм; для гальванических
Следует иметь в виду, что в процессе ламинирования (накатки) выделяются газообразные углеводородов — хлористый метилен и трихлорэтнлен, которые относятся к категории весьма токсичных веществ, для ламинирования предусматривается вытяжная вентиляционная система. После накатки СПФ платы выдерживают а течение температуре в помещении с желтым светом (так называемое «неактииичиое» освещение) для снятия внутренних пленке. Экспонирование производят через прозрачную лавсановую пленку так же, как и для жидких света в виде ртутно-кварцевых ламп с’диапазоном спектра 300—400 им. Продолжительность экспонирования определяется опытным так как при этом происходит прилипание защитной лавсаиоаой пленки к фоторезисту. После экспонирования выдерживается в течение 20—30 мни в затемненном месте для того, чтобы завершился процесс
Удаление фоторезиста по окончании операции травления или гальванического покрытия распылением растворителя хлористого метилена под более сильным давлением (0,3—0,4 МПа). С целью более остатков фоторезиста и пленок органических материалов платы дополнительно подвергают струйной промывке водой под
При обработке СПФ следует иметь в виду, что растворители — метил хлороформ и хлористый метилен
В установках для проявления и снятия фоторезиста предусматривается замкнутый цикл использования растворителей. После
С целью уменьшения профессиональной вредности операции по обработке СПФ в токсичных растворителях и решения проблемы обезвреживания и производства разработаны и выпускаются промышленностью фоторезисты водощелочиого проявления: ТФПК (ТУ ЫУО.037.074) и СПФ-ВЩ Фоторезисты этого типа можно применять только в тех случаях, когда последующие гальванические и нейтральных или кислых растворах. Проявление изображения производится в 2 %-ном растворе кальцинированной соды, 2 %-иом растворе едкого натра. В результате в растворах постепенно накапливаются продукты, входящие Эти продукты удаляются путем подкислеиия раствора проявителя 10 %-иым раствором серной или соляной
1. Установка точечным источником света, обеспечивающая освещенность внутри загрузочной рамы до 45 КЛк.
2. Установка проявления фоторезиста, струями хлорированных растворителей на заготовках размером" 500 X 500 мм. Установка конвейерного типа 0,2 до 4 м/мин. Производительность до 10 м2/ч. В комплект установки входят дистиллятор, 100 л/ч метилхлороформв или хлористого метил-ена и установка очистки воды с пропускной способностью л/ч.
3. Установка снятия фоторезиста или сеткографнческих красок рассчитана также на струйную обработку плат размером
Имеется опыт удаления сухих пленочных фоторезистов (типа СПФ-ВЩ) электрохимическим способом путем катодной обработки в слабощелочных химически в той же среде с наложением ультразвука частотой 10 кГц.
Для фоторезиста водощелочиого СПФ-ВЩ имеются линии проявления и удаления. Обе линии конвейерного типа конструктивно аналогичны линиям
Прн работе с сухими пленочными фоторезистами встречаются в табл. 11.
Таблица 11. Основные неполадки при получении защитного рисунка с помощью пленочных
|
Вид дефекта |
Причины дефекта |
|
Складкн и вздутия в пленке |
Плохая намотка рулона Не отрегулировано натяжение в пленке |
|
Отслаивание пленки |
Плохая подготовка поверхности заготовок Нарушение режимов нанесения |
|
Механические включения |
Загрязненность фоторезиста или воздушной среды помещения |
|
Плохое отделение лавсановой пленки |
Повышенная температура или увеличенное время при экспонировании |
|
Набухание, приподнятые края, разрушение защитного рисунка |
Недостаточное экспонирование Передержка при проявлении |
|
Прилипание фотошаблона к пленке при экспонировании |
Завышена температура в зоне экспонирования Несоответствие времени выдержки характеристикам ламп |
Продолжение
|
Вид дефекта |
Причины дефекта |
|
Фоторезист не удаляется |
Избыточная толщина металлического покрытия Загрязненный раствор для удаления Недостаточное давление, под которым подается |